제조사부품번호

Microchip Half Bridge mSiC N-Channel SiC Power Module, 295 A, 3300 V Enhancement Mode MSCSM330AM07CD3NG

RS 제품 번호:: 854-512
제조사 부품 번호:: MSCSM330AM07CD3NG
제조업체:: Microchip

Microchip Half Bridge mSiC N-Channel SiC Power Module, 295 A, 3300 V Enhancement Mode MSCSM330AM07CD3NG

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RS 제품 번호:: 854-512
제조사 부품 번호:: MSCSM330AM07CD3NG
제조업체:: Microchip

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Microchip
	Product Type	SiC Power Module
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	295A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	3300V
	Series	mSiC
	Mount Type	Heatsink
	Channel Mode	Enhancement Mode
	Maximum Power Dissipation Pd	1918W
	Transistor Configuration	Half Bridge
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Microchip
	Product Type SiC Power Module
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 295A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 3300V
	Series mSiC
	Mount Type Heatsink
	Channel Mode Enhancement Mode
	Maximum Power Dissipation Pd 1918W
	Transistor Configuration Half Bridge
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - MSCSM330AM07CD3NG

The Microchip silicon carbide power module excels in high-performance applications, delivering exceptional voltage handling and continuous drain current capabilities for demanding environments.

Robust thermal reliability ensures optimal performance at elevated temperatures

Integrated Schottky diode provides zero reverse recovery, enhancing switching behaviour

Designed with a Kelvin source configuration for simplified gate driving

Compact, isolated package allows direct mounting to heatsinks

Microchip Half Bridge mSiC N-Channel SiC Power Module, 295 A, 3300 V Enhancement Mode MSCSM330AM07CD3NG

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