Vishay SQD P-Channel Single MOSFETs, 50 A, -60 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-252 SQD50P06-15L_NE3
- RS 제품 번호:
- 829-351
- 제조사 부품 번호:
- SQD50P06-15L_NE3
- 제조업체:
- Vishay
N
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing optionsSubtotal (1 unit)*
₩3,574.00
일시적 품절
- 2027년 3월 19일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 |
|---|---|
| 1 - 9 | ₩3,574.00 |
| 10 - 24 | ₩2,322.00 |
| 25 - 99 | ₩1,384.00 |
| 100 - 499 | ₩1,340.00 |
| 500 + | ₩1,318.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 829-351
- 제조사 부품 번호:
- SQD50P06-15L_NE3
- 제조업체:
- Vishay
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -60V | |
| Series | SQD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0155Ω | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 98nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Forward Voltage Vf | -1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.22mm | |
| Width | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Height | 2.38mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Channel Type P-Channel | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -60V | ||
Series SQD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0155Ω | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 98nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Forward Voltage Vf -1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.22mm | ||
Width 6.73mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Height 2.38mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
The Vishay high-performance power MOSFET designed for automotive applications. This device ensures reliable operation under demanding conditions with robust performance characteristics.
TrenchFET technology enables efficient power management
Low thermal resistance package enhances heat dissipation
Fully tested for R and UIS ensures reliability
AEC-Q101 qualified for automotive safety standards
관련된 링크들
- Vishay SQD P-Channel Single MOSFETs, 50 A, 40 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-252 SQD50P04-13L_NE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -50 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD50P04-09L_NE3
- Vishay SQ P-Channel MOSFET, -48 A, -80 V P, 3-Pin TO-252 SQD50P08-28_NE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD50P06-15L_GE3
- Vishay SQ P-Channel MOSFET, -20 A, -60 V P, 3-Pin TO-252 SQD19P06-60L_NE3
- Vishay SI P-Channel Single MOSFETs, -120 A, -60 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-263 SQM120P06-07L_NE3
- Vishay SQ P-Channel MOSFET, -38 A, -100 V P, 3-Pin TO-252 SQD40P10-40L_NE3
- Vishay SQJ P-Channel Single MOSFETs, -36 A, -60 V Enhancement Mode, 8-Pin P SQJ457EP-T1_NE3