Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET, 207 A, 1400 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMYR140R008M2HXLSA1

N
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing options

Subtotal (1 unit)*

₩84,264.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 240 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
1 - 9₩84,264.00
10 - 24₩75,844.00
25 +₩62,356.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
762-946
제조사 부품 번호:
IMYR140R008M2HXLSA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

207A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1400V

Series

CoolSiC

Package Type

PG-TO247-4

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

710W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

203nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

23.8mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

4.9mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon CoolSiC 1400 V G2 SiC MOSFET features a 1400 V rating and a current capability of 147 A at 100°C, with a low on-resistance of 8.5 mΩ. It supports high thermal performance and can withstand short circuits for 2 μs. The device is designed with robust parasitic turn-on protection and a high creepage distance.

Very low switching losses

Robust body diode for hard commutation

Wide power pins for high current capability

Resistive weldable pins for direct busbar connections

관련된 링크들