Vishay SQ3583CEV N channel, P-Channel MOSFET, 4.7 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3583CEV-T1_GE3

N
모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing options

Subtotal (1 tape of 1 unit)*

₩872.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
현재 액세스할 수 없는 재고 정보 - 나중에 다시 확인해 주세요.

Tape(s)
Per Tape
1 - 24₩872.00
25 - 99₩582.00
100 +₩290.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
736-343
제조사 부품 번호:
SQ3583CEV-T1_GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Channel Type

N channel, P-Channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

SQ3583CEV

Package Type

TSOP-6

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.077Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.67W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay Dual MOSFET designed for high-reliability applications. This component utilizes TrenchFET technology to provide efficient power management in a Compact TSOP-6 package.

Qualified for automotive use according to AEC-Q101 standards

Undergoes 100 % Rg and UIS testing to ensure robust performance

관련된 링크들