Vishay SI2122DS Type N-Channel Single MOSFETs, 2.17 A, 100 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing options

Subtotal (1 tape of 1 unit)*

₩680.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2026년 9월 07일 부터 5,930 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

Tape(s)
Per Tape
1 - 24₩680.00
25 - 99₩580.00
100 - 499₩540.00
500 - 999₩480.00
1000 +₩460.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
653-087
제조사 부품 번호:
SI2122DS-T1-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

2.17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SI2122DS

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.160Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.9nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for compact, high-efficiency switching in low-power applications. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in a SOT-23 format, it utilizes TrenchFET Gen IV technology for low RDS(on), fast switching, and efficient thermal performance in space-constrained designs.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Used in LED backlighting

관련된 링크들