Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode, 37 A, 1200 V N, 4-Pin Tape & Reel DM800S12TDRB

N
모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 unit)*

₩12,073.36

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2026년 1월 19일 부터 10 개 단위 배송
  • 추가로 2026년 4월 10일 부터 30 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
1 - 9₩12,073.36
10 - 99₩10,866.40
100 - 499₩10,012.88
500 - 999₩9,304.12
1000 +₩7,555.72

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
427-759
제조사 부품 번호:
DM800S12TDRB
제조업체:
Starpower
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Starpower

Channel Type

Single Switch

Product Type

SiC Mosfet without Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

37A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

DOSEMI

Package Type

Tape & Reel

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

105mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Power Dissipation Pd

162W

Forward Voltage Vf

4.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Starpower MOSFET Power Discrete provides ultralow conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.

SiC power MOSFET

Low RDS(on)

Low inductance case avoid oscillations

ROHS

관련된 링크들