ROHM R60 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6004RND3TL1
- RS 제품 번호:
- 264-919
- 제조사 부품 번호:
- R6004RND3TL1
- 제조업체:
- ROHM
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 tape of 10 units)*
₩11,167.20
재고있음
- 100 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | ₩1,116.72 | ₩11,157.80 |
| 100 - 240 | ₩1,060.32 | ₩10,595.68 |
| 250 - 490 | ₩983.24 | ₩9,824.88 |
| 500 - 990 | ₩902.40 | ₩9,033.40 |
| 1000 + | ₩870.44 | ₩8,700.64 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 264-919
- 제조사 부품 번호:
- R6004RND3TL1
- 제조업체:
- ROHM
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | R60 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.73Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series R60 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.73Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Presto MOS features a 600V rating and 4A current capacity in a TO-252 DPAK package with an integrated high-speed diode. It is a fast trr power MOSFET, making it ideal for high-efficiency switching applications.
Fast reverse recovery time trr
Low on-resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
Pb-free plating and RoHS compliant
관련된 링크들
- ROHM R6004END3 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6004END3TL1
- ROHM R6004END3 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6009RND3TL1
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET, 7 A, 7 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6007RND3TL1
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223-3 R6004END4TL1
- ROHM R6003KND3 Type N-Channel MOSFET Enhancement, 3-Pin TO-252 R6003KND3TL1
- ROHM R65 Type N-Channel MOSFET, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6502END3TL1
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6009KND3TL1
