STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD12NF06LT4

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 tape of 10 units)*

₩11,524.40

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 2,070 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
Per Tape*
10 - 90₩1,152.44₩11,522.52
100 - 240₩1,094.16₩10,937.84
250 - 490₩1,015.20₩10,142.60
500 - 990₩932.48₩9,326.68
1000 +₩898.64₩8,992.04

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
151-907
제조사 부품 번호:
STD12NF06LT4
제조업체:
STMicroelectronics
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Series

STripFET II

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.1mm

Width

6.6 mm

Height

2.4mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET, It is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in Advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.

Exceptional dv/dt capability

100% avalanche tested

Low gate charge

관련된 링크들