Infineon DDB6U75N16W1RBOMA1 IGBT Module, 69 A 1200 V Module, Panel Mount
- RS 제품 번호:
- 273-7360
- 제조사 부품 번호:
- DDB6U75N16W1RBOMA1
- 제조업체:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 120 + | ₩38,103.84 | ₩914,469.60 |
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- RS 제품 번호:
- 273-7360
- 제조사 부품 번호:
- DDB6U75N16W1RBOMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 69 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V | |
| Maximum Power Dissipation | 335 W | |
| Package Type | Module | |
| Mounting Type | Panel Mount | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 69 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V | ||
Maximum Power Dissipation 335 W | ||
Package Type Module | ||
Mounting Type Panel Mount | ||
The Infineon Diode Bridge Modules with Brake Chopper and NTC for a more compact converter design. It has 1600 V repetitive peak reverse voltage and 65 A Maximum RMS forward current per chip.
Thermal resistance
Al2O3 internal isolation
Total power dissipation 335W
15 A continuous DC forward current
Al2O3 internal isolation
Total power dissipation 335W
15 A continuous DC forward current
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
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