Infineon, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 50 A 1200 V Module, Panel

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 IGBTs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 unit)*

₩61,522.50

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2026년 5월 11일 부터 2 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
1 - 4₩61,522.50
5 - 9₩60,274.50
10 - 24₩55,906.50
25 - 49₩51,246.00
50 +₩47,307.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
273-2932
제조사 부품 번호:
FS50R12W1T7B11BOMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

50A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

6

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Package Type

Module

Configuration

Common Emitter

Mount Type

Panel

Channel Type

Type N

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.64V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

125°C

Length

62.8mm

Height

16.4mm

Standards/Approvals

EN61140, IEC61140

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode, NTC and pressFIT contact technology.

High power density

Compact design

관련된 링크들