Infineon, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 50 A 1200 V, 35-Pin EasyPIM, Panel
- RS 제품 번호:
- 273-2926
- 제조사 부품 번호:
- FP50R12W2T7BPSA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 unit)*
₩82,419.20
재고있음
- 30 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 |
|---|---|
| 1 - 4 | ₩82,419.20 |
| 5 - 9 | ₩80,764.80 |
| 10 - 24 | ₩74,936.80 |
| 25 - 49 | ₩68,657.60 |
| 50 + | ₩63,393.60 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 273-2926
- 제조사 부품 번호:
- FP50R12W2T7BPSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Configuration | Common Emitter | |
| Package Type | EasyPIM | |
| Mount Type | Panel | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 35 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC 60747 | |
| Height | 15.5mm | |
| Length | 107.5mm | |
| Width | 45 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Number of Transistors 6 | ||
Configuration Common Emitter | ||
Package Type EasyPIM | ||
Mount Type Panel | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 35 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC 60747 | ||
Height 15.5mm | ||
Length 107.5mm | ||
Width 45 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon three phase input rectifier PIM (power integrated modules) IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode and NTC.
Overload operation up to 175°C
High power density
Compact design
관련된 링크들
- Infineon FP50R12W2T7BPSA1, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 50 A 1200 V, 35-Pin EasyPIM, Panel
- Infineon, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 100 A 1200 V, 31-Pin Module, Panel
- Infineon, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 75 A 1200 V, 31-Pin EconoPIM2, Panel
- Infineon, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 75 A 1200 V, 28-Pin Module, Panel
- Infineon FP100R12N2T7BPSA2, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 100 A 1200 V, 31-Pin Module, Panel
- Infineon, Type N-Channel IGBT, 25 A 1200 V, 23-Pin EasyPIM, Clamp
- Infineon FP75R12N2T7BPSA2, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 75 A 1200 V, 31-Pin EconoPIM2, Panel
- Infineon FS50R12KT3BPSA1, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 75 A 1200 V, 28-Pin Module, Panel
