제조사부품번호

Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module 650 V, Through Hole

RS 제품 번호:: 248-1200
제조사 부품 번호:: F3L100R07W2H3B11BPSA1
제조업체:: Infineon

Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module 650 V, Through Hole

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RS 제품 번호:: 248-1200
제조사 부품 번호:: F3L100R07W2H3B11BPSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	20mW
	Number of Transistors	4
	Mount Type	Through Hole
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	F3L100R07W2H3B11
	Length	56.7mm
	Height	12mm
	Width	42.5 mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 20mW
	Number of Transistors 4
	Mount Type Through Hole
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Series F3L100R07W2H3B11
	Length 56.7mm
	Height 12mm
	Width 42.5 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - F3L100R07W2H3B11BPSA1

The Infineon makes this EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-level IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC. This device offers easy of use compact design, optimized performance. The device provides added benefits like increased blocking voltage capability up to 650 V, low inductive design, low switching losses and low VCE,sat. It uses an Al2O3 substrate with low thermal resistance and PressFIT contact technology. This device offers rugged mounting due to integrated mounting clamp.

Best cost-performance ratio with reduced system costs

High degree of freedom in design, and uses IGBT HighSpeed 3 technology

Highest efficiency and power density

Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module 650 V, Through Hole

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