제조사부품번호

Infineon IGP20N65H5XKSA1 Single IGBT, 42 A 650 V TO-220-3

RS 제품 번호:: 242-0977
제조사 부품 번호:: IGP20N65H5XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IGP20N65H5XKSA1 Single IGBT, 42 A 650 V TO-220-3

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수량	한팩당	Per Tube*
500 - 500	₩1,191.92	₩595,772.00
1000 - 1000	₩1,163.72	₩581,484.00
1500 +	₩1,135.52	₩567,572.00

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RS 제품 번호:: 242-0977
제조사 부품 번호:: IGP20N65H5XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	42 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	20V
	Number of Transistors	1
	Maximum Power Dissipation	125 W
	Package Type	TO-220-3
	Configuration	Single

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 42 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage 20V
	Number of Transistors 1
	Maximum Power Dissipation 125 W
	Package Type TO-220-3
	Configuration Single

Datasheet - IGP20N65H5XKSA1

The Infineon IGBT trasistor has a 650 V breakthrough voltage.The maximum junction temperature of transistor is 175°C.

Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies
Plug and play replacement of previous generation IGBTs
Applicable in Solar converters , Uninterruptible power supplies, Welding converters
Mid to high range switching frequency converters

Infineon IGP20N65H5XKSA1 Single IGBT, 42 A 650 V TO-220-3

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