제조사부품번호

Infineon IGBT, 20 A 650 V TO-220

Name: Infineon IGBT, 20 A 650 V TO-220
Brand: Infineon
SKU: 242-0977
Price: 1319.76 KRW
Availability: BackOrder

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사양

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	20A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Package Type	TO-220
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.65V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 ±30 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	4.57mm
	Length	29.95mm
	Standards/Approvals	JEDEC
	Series	High Speed Fifth Generation
	Width	10.36 mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 20A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Package Type TO-220
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 ±30 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 4.57mm
	Length 29.95mm
	Standards/Approvals JEDEC
	Series High Speed Fifth Generation
	Width 10.36 mm
	Automotive Standard No

The Infineon IGBT trasistor has a 650 V breakthrough voltage.The maximum junction temperature of transistor is 175°C.

Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies

Plug and play replacement of previous generation IGBTs

Applicable in Solar converters , Uninterruptible power supplies, Welding converters

Mid to high range switching frequency converters

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