STMicroelectronics STGYA75H120DF2 IGBT, 150 A 1200 V, 3-Pin Max247, Through Hole

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 tube of 30 units)*

₩475,226.40

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 450 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
Per Tube*
30 - 120₩15,840.88₩475,243.32
150 - 270₩15,367.12₩460,996.68
300 +₩14,904.64₩447,156.12

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
234-8892
제조사 부품 번호:
STGYA75H120DF2
제조업체:
STMicroelectronics
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

150 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

750 W

Package Type

Max247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Maximum junction temperature TJ = 175 °C
5 μs of short-circuit withstand time
VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A
Tight parameter distribution
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Very fast recovery antiparallel diode

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


관련된 링크들