Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 45 A 1200 V, 13-Pin EASY1B, Clamp
- RS 제품 번호:
- 218-4318
- 제조사 부품 번호:
- F3L25R12W1T4B27BOMA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing optionsSubtotal (1 tray of 24 units)*
₩1,085,151.60
일시적 품절
- 2026년 7월 16일 부터 24 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | ₩45,214.65 | ₩1,085,155.50 |
| 48 - 72 | ₩43,859.40 | ₩1,052,611.95 |
| 96 + | ₩42,543.15 | ₩1,021,039.50 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 218-4318
- 제조사 부품 번호:
- F3L25R12W1T4B27BOMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 45A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 215W | |
| Package Type | EASY1B | |
| Mount Type | Clamp | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 13 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.25V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | F3L | |
| Length | 56.7mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 12mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 45A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 215W | ||
Package Type EASY1B | ||
Mount Type Clamp | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 13 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series F3L | ||
Length 56.7mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 12mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon EasyPack 3-level phase leg IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, NTC and PressFIT contact technology. It has collector emitter voltage of 1200 V. It is mainly used in solar applications.
Compact module concept
Optimized customers development cycle time and cost
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
Configuration flexibility
관련된 링크들
- Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 10 A 1200 V EASY1B, Clamp
- Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 28 A 1200 V, 23-Pin EASY1B, Clamp
- Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 20 A 1200 V, 23-Pin EASY1B, Clamp
- Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 45 A 1200 V, 22-Pin EASY1B, Clamp
- Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 54 A 1200 V AG-EASY2B-1, Clamp
- Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 54 A 1200 V, 35-Pin EASY2B, Clamp
- Infineon F3L25R12W1T4B27BOMA1, Type N-Channel IGBT Module, 45 A 1200 V, 13-Pin EASY1B, Clamp
- Infineon FP10R12W1T7B11BOMA1, Type N-Channel IGBT Module, 10 A 1200 V EASY1B, Clamp
