제조사부품번호

STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 IGBT, 115 A 650 V, 3-Pin TO-247

RS 제품 번호:: 206-7212
제조사 부품 번호:: STGWA75H65DFB2
제조업체:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 IGBT, 115 A 650 V, 3-Pin TO-247

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RS 제품 번호:: 206-7212
제조사 부품 번호:: STGWA75H65DFB2
제조업체:: STMicroelectronics

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current	115 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	357 W
	Number of Transistors	1
	Package Type	TO-247
	Pin Count	3
	Transistor Configuration	Single

	모두 선택
	브랜드 STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current 115 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 357 W
	Number of Transistors 1
	Package Type TO-247
	Pin Count 3
	Transistor Configuration Single

Datasheet - STGWA75H65DFB2

The STMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package.

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient

STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 IGBT, 115 A 650 V, 3-Pin TO-247

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

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