STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 IGBT, 115 A 650 V, 4-Pin TO-247

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 tube of 30 units)*

₩292,321.20

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 60 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
Per Tube*
30 - 30₩9,744.04₩292,304.28
60 - 90₩9,531.60₩285,948.00
120 +₩9,341.72₩280,234.68

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
206-6063
제조사 부품 번호:
STGW75H65DFB2-4
제조업체:
STMicroelectronics
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

115 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

357 W

Package Type

TO-247

Pin Count

4

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


관련된 링크들