제조사부품번호

onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole

RS 제품 번호:: 202-5682
제조사 부품 번호:: NXH35C120L2C2SG
제조업체:: onsemi

onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 unit)*

₩177,678.80

마지막 RS 재고

최종적인 3 개 unit(s)이 배송 준비 됨

수량	한팩당
1 - 1	₩177,678.80
2 - 2	₩174,106.80
3 +	₩170,610.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 202-5682
제조사 부품 번호:: NXH35C120L2C2SG
제조업체:: onsemi

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	onsemi
	Maximum Continuous Collector Current	35 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20.0V
	Number of Transistors	6
	Configuration	3 Phase
	Package Type	DIP26
	Mounting Type	Through Hole
	Channel Type	N

	모두 선택
	브랜드 onsemi
	Maximum Continuous Collector Current 35 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20.0V
	Number of Transistors 6
	Configuration 3 Phase
	Package Type DIP26
	Mounting Type Through Hole
	Channel Type N

Datasheet - NXH35C120L2C2SG

The ON Semiconductor transfer molded power module containing a converter-inverter-brake circuit consisting of six 35 Ampere and 1600 Volts rectifiers, six 35 Ampere and 1200 Volts IGBTs with inverse diodes, one 35 Ampere and 1200 Volts brake IGBT with brake diode and an NTC thermistor.

Low thermal resistance
6mm clearance distance between pin to heatsink
Solderable pins
Thermistor
Pb free
Halogen free or BFR free
RoHS compliant

onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

관련된 링크들