제조사부품번호

onsemi NFAM3065L4BL 3 Phase IGBT, 30 A 650 V, 39-Pin DIP39, Through Hole

RS 제품 번호:: 277-038
제조사 부품 번호:: NFAM3065L4BL
제조업체:: onsemi

onsemi NFAM3065L4BL 3 Phase IGBT, 30 A 650 V, 39-Pin DIP39, Through Hole

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RS 제품 번호:: 277-038
제조사 부품 번호:: NFAM3065L4BL
제조업체:: onsemi

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	onsemi
	Maximum Continuous Collector Current	30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Number of Transistors	6
	Maximum Power Dissipation	113 W
	Package Type	DIP39
	Configuration	3 Phase
	Mounting Type	Through Hole
	Channel Type	N
	Pin Count	39

	모두 선택
	브랜드 onsemi
	Maximum Continuous Collector Current 30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Number of Transistors 6
	Maximum Power Dissipation 113 W
	Package Type DIP39
	Configuration 3 Phase
	Mounting Type Through Hole
	Channel Type N
	Pin Count 39

Datasheet - NFAM3065L4BL

COO (Country of Origin):: VN

The ON Semiconductor Integrated Inverter Power Module features a high-side gate driver, LVIC, six IGBTs, and a temperature sensor (VTS), making it ideal for driving PMSM, BLDC, and AC asynchronous motors. The IGBTs are arranged in a three-phase bridge with separate emitter connections for the lower legs, allowing maximum flexibility in control algorithm selection.

Active logic interface
Built in undervoltage protection
Integrated bootstrap diodes and resistors
Separate low side IGBT emitter connections for individual current sensing of each phase

onsemi NFAM3065L4BL 3 Phase IGBT, 30 A 650 V, 39-Pin DIP39, Through Hole

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