Vishay SIA456DJ-T1-GE3 IGBT

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포장 옵션
RS 제품 번호:
180-7793
제조사 부품 번호:
SIA456DJ-T1-GE3
제조업체:
Vishay
COO (Country of Origin):
CN
The Vishay SIA456DJ is a N-channel MOSFET having drain to source voltage(Vds) of 200V and gate to source voltage (VGS) 16V. It is having power PAK SC-70 package. It is offers drain to source resistance (RDS.) of 1.38ohms at 4.5VGS and 1.5ohms at 2.5VGS. Maximum drain current 2.6A.

Trench FET power MOSFET
Thermally enhanced Power PAK SC-70 package
Small footprint area

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


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