제조사부품번호

Infineon IR2111STRPBF, Half Bridge, 420 mA 8-Pin 600 V, SOIC

RS 제품 번호:: 258-3931
제조사 부품 번호:: IR2111STRPBF
제조업체:: Infineon

Infineon IR2111STRPBF, Half Bridge, 420 mA 8-Pin 600 V, SOIC

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 2 units)*

₩4,060.80

재고있음

추가로 2025년 12월 29일 부터 2,418 개 단위 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	한팩당*
2 - 8	₩2,030.40	₩4,060.80
10 - 98	₩1,833.00	₩3,666.00
100 - 248	₩1,720.20	₩3,440.40
250 - 498	₩1,475.80	₩2,951.60
500 +	₩1,438.20	₩2,876.40

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 258-3931
제조사 부품 번호:: IR2111STRPBF
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	Gate Driver Module
	Output Current	420mA
	Pin Count	8
	Package Type	SOIC
	Fall Time	40ns
	Driver Type	Half Bridge
	Rise Time	130ns
	Minimum Supply Voltage	10V
	Maximum Supply Voltage	600V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Series	IR2111(S) & (PbF)
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type Gate Driver Module
	Output Current 420mA
	Pin Count 8
	Package Type SOIC
	Fall Time 40ns
	Driver Type Half Bridge
	Rise Time 130ns
	Minimum Supply Voltage 10V
	Maximum Supply Voltage 600V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Series IR2111(S) & (PbF)
	Automotive Standard No

Datasheet - IR2111STRPBF

The Infineon half-bridge driver is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels designed for half bridge applications. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Internal dead time is provided to avoid shoot-through in the output half-bridge. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 volts.

Gate drive supply range from 10 to 20V

Under voltage lockout for both channels

CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down

Matched propagation delay for both channels

Internally set dead time

High side output in phase with input

Infineon IR2111STRPBF, Half Bridge, 420 mA 8-Pin 600 V, SOIC

관련된 링크들