onsemi KSD2012GTU Transistor, 3 A NPN, 60 V, 3-Pin TO-220
- RS 제품 번호:
- 806-2762
- 제조사 부품 번호:
- KSD2012GTU
- 제조업체:
- onsemi
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|---|---|---|
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- RS 제품 번호:
- 806-2762
- 제조사 부품 번호:
- KSD2012GTU
- 제조업체:
- onsemi
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 3A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 60V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 60V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 25W | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 20 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 7V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Length | 10.16mm | |
| Height | 25.55mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 3A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 60V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 60V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 25W | ||
Minimum DC Current Gain hFE 20 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 7V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Length 10.16mm | ||
Height 25.55mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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