Toshiba HN4B101J(TE85L,F) Dual NPN/PNP Transistor, 1.2 A, 30 V, 5-Pin SMV
- RS 제품 번호:
- 756-0622
- 제조사 부품 번호:
- HN4B101J(TE85L,F)
- 제조업체:
- Toshiba
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- RS 제품 번호:
- 756-0622
- 제조사 부품 번호:
- HN4B101J(TE85L,F)
- 제조업체:
- Toshiba
사양
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Toshiba | |
| Transistor Type | NPN/PNP | |
| Maximum DC Collector Current | 1.2 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V | |
| Package Type | SMV | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Maximum Power Dissipation | 850 mW | |
| Transistor Configuration | Common Emitter | |
| Maximum Collector Base Voltage | -30 V, 50 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 (NPN) V, -7 (PNP) V | |
| Pin Count | 5 | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Dimensions | 2.9 x 1.6 x 1.1mm | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Toshiba | ||
Transistor Type NPN/PNP | ||
Maximum DC Collector Current 1.2 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V | ||
Package Type SMV | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Maximum Power Dissipation 850 mW | ||
Transistor Configuration Common Emitter | ||
Maximum Collector Base Voltage -30 V, 50 V | ||
Maximum Emitter Base Voltage 7 (NPN) V, -7 (PNP) V | ||
Pin Count 5 | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Dimensions 2.9 x 1.6 x 1.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
Dual NPN/PNP Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
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