제조사부품번호

Infineon BGB741L7ESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 10 mA, 7-Pin TSLP-7-1

RS 제품 번호:: 261-3960
제조사 부품 번호:: BGB741L7ESDE6327XTSA1
제조업체:: Infineon

Infineon BGB741L7ESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 10 mA, 7-Pin TSLP-7-1

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20 - 90	₩1,444.00	₩14,440.00
100 - 240	₩1,304.00	₩13,040.00
250 - 490	₩1,172.00	₩11,720.00
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RS 제품 번호:: 261-3960
제조사 부품 번호:: BGB741L7ESDE6327XTSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	10mA
	Package Type	TSLP-7-1
	Mount Type	Surface
	Maximum Power Dissipation Pd	120mW
	Maximum Transition Frequency ft	3.5GHz
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Pin Count	7
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.4mm
	Length	2mm
	Width	1.3mm
	Standards/Approvals	JEDEC47/20/22
	Series	BGB741L7ESD
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 10mA
	Package Type TSLP-7-1
	Mount Type Surface
	Maximum Power Dissipation Pd 120mW
	Maximum Transition Frequency ft 3.5GHz
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Pin Count 7
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.4mm
	Length 2mm
	Width 1.3mm
	Standards/Approvals JEDEC47/20/22
	Series BGB741L7ESD
	Automotive Standard No

Datasheet - BGB741L7ESDE6327XTSA1

The Infineon high performance broadband low noise amplifier with MMIC based on silicon germanium carbon bipolar technology. Its for application of satellite navigation systems and wireless communications.

High RF input power robustness of 20 dBm

Minimum noise figure

Infineon BGB741L7ESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 10 mA, 7-Pin TSLP-7-1

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