Infineon RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 7.5 V, 4-Pin TSFP-4-1
- RS 제품 번호:
- 261-3946
- 제조사 부품 번호:
- BFP620FH7764XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing optionsSubtotal (1 reel of 3000 units)*
₩1,416,000.00
일시적 품절
- 2026년 11월 12일 부터 3,000 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ₩472.00 | ₩1,414,800.00 |
| 6000 - 6000 | ₩462.00 | ₩1,386,600.00 |
| 9000 + | ₩452.00 | ₩1,358,400.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 261-3946
- 제조사 부품 번호:
- BFP620FH7764XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 80mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 7.5V | |
| Package Type | TSFP-4-1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 7.5V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 110 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 65GHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 185mW | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Height | 0.55mm | |
| Length | 1.4mm | |
| Series | BFP | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 80mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 7.5V | ||
Package Type TSFP-4-1 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 7.5V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 110 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 65GHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 185mW | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Height 0.55mm | ||
Length 1.4mm | ||
Series BFP | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon low profile high gain silicon NPN RF bipolar transistor, its high gain and low noise characteristics make the device suitable for frequencies as high as 6 GHz. It remains cost competitive without compromising on ease of use.
Low noise amplifiers in SDARS receivers
Low noise amplifiers for wireless communications
관련된 링크들
- Infineon BFP620FH7764XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 7.5 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 4 V, 4-Pin TSFP
- Infineon BFP640FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 4 V, 4-Pin TSFP
- Infineon RF Bipolar Transistor, 25 mA NPN, 13 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon RF Bipolar Transistor, 60 mA NPN, 4.5 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon BFP720FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 25 mA NPN, 13 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon BFP420FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 60 mA NPN, 4.5 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon RF Bipolar Transistor, 7.5 mA NPN, 80 V, 4-Pin SOT-343