제조사부품번호

Infineon RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-323

RS 제품 번호:: 259-1455
제조사 부품 번호:: BFR193WH6327XTSA1
제조업체:: Infineon

Infineon RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-323

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RS 제품 번호:: 259-1455
제조사 부품 번호:: BFR193WH6327XTSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	80mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	20V
	Package Type	SOT-323
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	20V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	2V
	Minimum DC Current Gain hFE	70
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	580mW
	Maximum Transition Frequency ft	8GHz
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	3
	Height	0.9mm
	Width	2 mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	BFR193W
	Length	2.1mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 80mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V
	Package Type SOT-323
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V
	Minimum DC Current Gain hFE 70
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 580mW
	Maximum Transition Frequency ft 8GHz
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 3
	Height 0.9mm
	Width 2 mm
	Standards/Approvals RoHS
	Series BFR193W
	Length 2.1mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BFR193WH6327XTSA1

The Infineon NPN silicon RF transistor. It is various applications like cellular and Cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.

For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

For linear broadband amplifiers

fT 8 GHz, NFmin 1 dB at 900 MHz

Pb-free (RoHS compliant) package

Infineon RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-323

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