제조사부품번호

onsemi MJB45H11G Digital Transistor, -80 V PNP 10 A Surface, 2-Pin

RS 제품 번호:: 186-8019
제조사 부품 번호:: MJB45H11G
제조업체:: onsemi

onsemi MJB45H11G Digital Transistor, -80 V PNP 10 A Surface, 2-Pin

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 10 units)*

₩11,016.80

재고있음

120 개 단위 배송 준비 완료

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	한팩당*
10 - 10	₩1,101.68	₩11,016.80
20 - 20	₩1,073.48	₩10,734.80
30 +	₩1,056.56	₩10,565.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 186-8019
제조사 부품 번호:: MJB45H11G
제조업체:: onsemi

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	onsemi
	Product Type	Digital Transistor
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	-80V
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Transistor Polarity	PNP
	Maximum Continuous Collector Current Ic	10A
	Minimum DC Current Gain hFE	60
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	5V dc
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1V
	Pin Count	2
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	UL 94 V-0
	Series	MJB45H
	Height	8.64mm
	Length	9.65mm
	Width	4.83 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	모두 선택
	브랜드 onsemi
	Product Type Digital Transistor
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -80V
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Transistor Polarity PNP
	Maximum Continuous Collector Current Ic 10A
	Minimum DC Current Gain hFE 60
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V dc
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1V
	Pin Count 2
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals UL 94 V-0
	Series MJB45H
	Height 8.64mm
	Length 9.65mm
	Width 4.83 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet MJB45H11G

COO (Country of Origin):: MY

The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. The MJB44H11 (NPN) and MJB45H11 (PNP) are complementary devices.

Low Collector-Emitter Saturation Voltage -

VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A

Fast Switching Speeds

Complementary Pairs Simplifies Designs

NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP capable

PbFree Packages are Available

onsemi MJB45H11G Digital Transistor, -80 V PNP 10 A Surface, 2-Pin

관련된 링크들