onsemi MJB44H11G Transistor, 20 A NPN, 80 V dc, 4-Pin TO-263

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 10 units)*

₩14,781.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2026년 5월 25일 부터 110 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
한팩당*
10 - 10₩1,478.10₩14,781.00
20 - 20₩1,439.10₩14,391.00
30 +₩1,421.55₩14,215.50

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
184-4959
제조사 부품 번호:
MJB44H11G
제조업체:
onsemi
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

onsemi

Product Type

Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

20A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

80V dc

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

5V dc

Minimum DC Current Gain hFE

60

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Maximum Transition Frequency ft

1MHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

4

Standards/Approvals

No

Length

11.05mm

Height

4.83mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. The MJB44H11 (NPN) and MJB45H11 (PNP) are complementary devices.

Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A

Fast Switching Speeds

Complementary Pairs Simplifies Designs

NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP Capable

These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free

관련된 링크들