제조사부품번호

onsemi MJH11020G Transistor, 30 A NPN, 250 V, 3-Pin TO-218

Name: onsemi MJH11020G Transistor, 30 A NPN, 250 V, 3-Pin TO-218
Brand: onsemi
SKU: 184-0973
Availability: BackOrder

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사양

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	onsemi
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	30A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	250V
	Package Type	TO-218
	Mount Type	Through Hole
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	200V
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Transition Frequency ft	1MHz
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	5V
	Maximum Power Dissipation Pd	150W
	Minimum DC Current Gain hFE	100
	Transistor Polarity	NPN
	Pin Count	3
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	33.15mm
	Standards/Approvals	No
	Width	5.3mm
	Length	16.26mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 onsemi
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 30A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 250V
	Package Type TO-218
	Mount Type Through Hole
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 200V
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Transition Frequency ft 1MHz
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V
	Maximum Power Dissipation Pd 150W
	Minimum DC Current Gain hFE 100
	Transistor Polarity NPN
	Pin Count 3
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 33.15mm
	Standards/Approvals No
	Width 5.3mm
	Length 16.26mm
	Automotive Standard No

The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications.

High DC Current Gain @ 10 Adc -

hFE = 400 Min (All Types)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) MJH11018, 17

VCEO(sus) = 200 Vdc (Min) - MJH11020, 19

VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) - MJH11022, 21

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat) = 1.2 V (Typ) @ IC = 5.0 A

VCE(sat) = 1.8 V (Typ) @ IC = 10 A

Monolithic Construction

관련된 링크들