Nexperia PHPT61010NYX Transistor, 10 A NPN, 100 V, 5-Pin SOT-669
- RS 제품 번호:
- 151-3176
- 제조사 부품 번호:
- PHPT61010NYX
- 제조업체:
- Nexperia
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| 375 - 725 | ₩1,228.00 | ₩30,700.00 |
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- RS 제품 번호:
- 151-3176
- 제조사 부품 번호:
- PHPT61010NYX
- 제조업체:
- Nexperia
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nexperia | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 10A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 100V | |
| Package Type | SOT-669 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 100V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 145MHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 25W | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 7V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 150 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.05mm | |
| Series | PHPT61010NY | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Nexperia | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 10A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 100V | ||
Package Type SOT-669 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 100V | ||
Maximum Transition Frequency ft 145MHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 25W | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 7V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 150 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.05mm | ||
Series PHPT61010NY | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
100 V, 10 A NPN high power bipolar transistor, NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT61010PY
High thermal power dissipation capability
High temperature applications up to 175 °C
Reduced Printed Circuit Board (PCB) requirements comparing to transistors in DPAK
High energy efficiency due to less heat generation
AEC-Q101 qualified.
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