Infineon 4 V 110 mA Diode Schottky 2-Pin SOD-323 BAT1503WE6327HTSA1

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 20 units)*

₩14,547.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
현재 액세스할 수 없는 재고 정보 - 나중에 다시 확인해 주세요.

수량
한팩당
한팩당*
20 - 20₩727.35₩14,547.00
40 - 80₩653.25₩13,065.00
100 - 220₩588.90₩11,758.50
240 - 480₩530.40₩10,608.00
500 +₩475.80₩9,535.50

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
261-3915
제조사 부품 번호:
BAT1503WE6327HTSA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

Diode

Mount Type

Surface

Package Type

SOD-323

Maximum Continuous Forward Current If

110mA

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

4V

Diode Configuration

Single

Series

BAT15-03W

Rectifier Type

Schottky

Pin Count

2

Peak Reverse Current Ir

5μA

Maximum Forward Voltage Vf

0.32V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Length

2.5mm

Height

0.9mm

Automotive Standard

No

The Infineon RF Schottky diode is a silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Its low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.

RoHS compliant and halogen-free

Low capacitance and inductance

관련된 링크들