Infineon 4 V 110 mA Diode TSLP BAT1502ELE6327XTMA1

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 10 units)*

₩6,337.50

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 10,990 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
한팩당*
10 - 10₩633.75₩6,337.50
20 - 90₩575.25₩5,752.50
100 - 240₩534.30₩5,343.00
250 - 490₩462.15₩4,621.50
500 +₩440.70₩4,407.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
258-0637
Distrelec 제품 번호:
304-40-474
제조사 부품 번호:
BAT1502ELE6327XTMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Mount Type

Surface

Product Type

Diode

Package Type

TSLP

Maximum Continuous Forward Current If

110mA

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

4V

Diode Configuration

Single

Series

BAT15-02EL

Peak Reverse Current Ir

5μA

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Forward Voltage Vf

0.41V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Automotive Standard

No

The Infineon RF Schottky diode is a silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Its low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-02EL a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.

TSLP-2-19 package with a 0402 foot print

Pb-free, RoHS compliant and halogen-free

관련된 링크들