STMicroelectronics 1200 V 10 A Diode 3-Pin DPAK
- RS 제품 번호:
- 210-8743
- 제조사 부품 번호:
- STPSC10H12B2-TR
- 제조업체:
- STMicroelectronics
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 reel of 2500 units)*
₩15,853,100.00
일시적 품절
- 2026년 7월 01일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ₩6,341.24 | ₩15,852,630.00 |
| 5000 - 7500 | ₩6,215.28 | ₩15,535,850.00 |
| 10000 + | ₩6,027.28 | ₩15,069,610.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 210-8743
- 제조사 부품 번호:
- STPSC10H12B2-TR
- 제조업체:
- STMicroelectronics
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | STMicroelectronics | |
| Product Type | Diode | |
| Mount Type | Surface | |
| Package Type | TO-252 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 10A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 1200V | |
| Pin Count | 3 | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 60A | |
| Peak Reverse Current Ir | 30μA | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 2.25V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.4 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 9.35mm | |
| Height | 2.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 STMicroelectronics | ||
Product Type Diode | ||
Mount Type Surface | ||
Package Type TO-252 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 10A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 1200V | ||
Pin Count 3 | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 60A | ||
Peak Reverse Current Ir 30μA | ||
Maximum Forward Voltage Vf 2.25V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.4 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 9.35mm | ||
Height 2.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics 10A, 1200V SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Robust high voltage periphery
Operating Tj from -40 °C to 175 °C
Low VF
DPAK HV creepage distance (anode to cathode) = 3 mm min.
ECOPACK2 compliant
관련된 링크들
- STMicroelectronics 1200 V 10 A Diode 3-Pin DPAK STPSC10H12B2-TR
- STMicroelectronics 1200 V 5 A Switching Diode 3-Pin DPAK
- STMicroelectronics 1200 V 5 A Switching Diode 3-Pin DPAK STTH512B-TR
- STMicroelectronics 1200 V 10 A Diode 2-Pin D2PAK
- STMicroelectronics 1200 V 10 A Diode 2-Pin D2PAK STPSC10H12G2-TR
- STMicroelectronics 1200V 10A, SiC Schottky Diode, 2 + Tab-Pin D2PAK STPSC10H12GY-TR
- STMicroelectronics 1200 V 10 A Diode 2-Pin D2PAK STPSC10H12G2Y-TR
- STMicroelectronics 1200 V 20 A Diode 2-Pin D2PAK
