제조사부품번호

BGAP2S20AE6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier, 34.8 dB 2.7 GHz, 16-Pin PG-TSNP-16-12

RS 제품 번호:: 349-418
제조사 부품 번호:: BGAP2S20AE6327XTSA1
제조업체:: Infineon

BGAP2S20AE6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier, 34.8 dB 2.7 GHz, 16-Pin PG-TSNP-16-12

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RS 제품 번호:: 349-418
제조사 부품 번호:: BGAP2S20AE6327XTSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Typical 3dB Bandwidth	2300 → 2700MHz
	Typical Power Gain	34.8 dB
	Typical Output Power	28.9dBm
	Typical Noise Figure	3.8dB
	Number of Channels per Chip	1
	Maximum Operating Frequency	2.7 GHz
	Package Type	PG-TSNP-16-12
	Pin Count	16

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Typical 3dB Bandwidth 2300 → 2700MHz
	Typical Power Gain 34.8 dB
	Typical Output Power 28.9dBm
	Typical Noise Figure 3.8dB
	Number of Channels per Chip 1
	Maximum Operating Frequency 2.7 GHz
	Package Type PG-TSNP-16-12
	Pin Count 16

Datasheet - BGAP2S20AE6327XTSA1

COO (Country of Origin):: MY

The Infineon 2.3 to 2.7 GHz low-band driver amplifier that can be used as pre-driver or driver in RF applications from massive MIMO 5G base stations to small cells and access points. The driver amplifier is typically placed between transceiver IC and power amplifier but can also be used as power amplifier for low power applications. The input and outputs are single-ended and internally matched to 50 Ω.

BiCMOS technology for an optimized performance
High gain and high power for fewer components in line up
Internal matching and saving external matching components
Easy design in and small area footprint

BGAP2S20AE6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier, 34.8 dB 2.7 GHz, 16-Pin PG-TSNP-16-12

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