N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK20E60W,S1VX(S
- RS 제품 번호:
- 827-6160P
- 제조사 부품 번호:
- TK20E60W,S1VX(S
- 제조업체:
- Toshiba
일시 품절-다음 입고 날짜는 25/10/2024 (일/월/년) 이며, 그 후 5-10영업일내 홍콩에서 발송. 정확한 입고 수량에 대한 문의는 krenquiry@rs-components.com 로 연락주세요.
추가완료!
단가 개(봉지에 담겨 공급됨)
₩5,685.27
| 수량 | 한팩당 |
| 25 - 45 | ₩5,685.27 |
| 50 - 95 | ₩5,542.104 |
| 100 - 245 | ₩5,404.112 |
| 250 + | ₩5,267.845 |
- RS 제품 번호:
- 827-6160P
- 제조사 부품 번호:
- TK20E60W,S1VX(S
- 제조업체:
- Toshiba
제정법과 컴플라이언스
- COO (Country of Origin):
- CN
제품 세부 사항
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.
MOSFET Transistors, Toshiba
사양
속성 | 값 |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Package Type | TO-220 |
| Series | TK |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 155 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Maximum Power Dissipation | 165 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Width | 4.45mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Length | 10.16mm |
| Height | 15.1mm |