DiodesZetex Isolated 2 N-Channel Power MOSFET, 6.6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN6040SSD-13
- RS 제품 번호:
- 823-4018
- 제조사 부품 번호:
- DMN6040SSD-13
- 제조업체:
- DiodesZetex
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 받기
640개 더 담고 1% 할인 받기
View bulk pricing optionsSubtotal (1 pack of 20 units)*
₩14,520.00
재고있음
- 추가로 2026년 11월 16일 부터 160 개 단위 배송
- 추가로 2026년 11월 23일 부터 86,060 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* | 절감 |
|---|---|---|---|
| 20 - 620 | ₩726.00 | ₩14,520.00 | - |
| 640 - 1240 | ₩712.00 | ₩14,260.00 | 1% |
| 1260 + | ₩700.00 | ₩14,000.00 | 3% |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 823-4018
- 제조사 부품 번호:
- DMN6040SSD-13
- 제조업체:
- DiodesZetex
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | DiodesZetex | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 55mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 700mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.7W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Length | 4.95mm | |
| Width | 3.95mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Standards/Approvals | MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 DiodesZetex | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 55mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 700mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.7W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Length 4.95mm | ||
Width 3.95mm | ||
Height 1.5mm | ||
Standards/Approvals MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
관련된 링크들
- DiodesZetex Isolated 2 N-Channel Power MOSFET, 6.6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN6040SSD-13
- DiodesZetex Isolated 2 N-Channel Power MOSFET, 7 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN4031SSD-13
- DiodesZetex Isolated 2 N-Channel Power MOSFET, 4.4 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN6066SSD-13
- DiodesZetex Isolated 2 N-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN6070SSD-13
- DiodesZetex DMN6040SE N-Channel MOSFET, 7.1 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 DMN6040SE-13
- DiodesZetex DMN6040SK3 N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 DMN6040SK3-13
- DiodesZetex Isolated 2 N-Channel Power MOSFET, 7.6 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN2041LSD-13
- DiodesZetex Single 1 N-Channel MOSFET, 8.7 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN3018SSD-13