Vishay Isolated Si4599DY 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 6.8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4599DY-T1-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 20 units)*

₩23,086.40

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
마지막 RS 재고
  • 최종적인 9,520 개 unit(s)이 배송 준비 됨
수량
한팩당
한팩당*
20 - 620₩1,154.32₩23,067.60
640 - 1240₩1,124.24₩22,503.60
1260 +₩1,105.44₩22,127.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
812-3233
제조사 부품 번호:
SI4599DY-T1-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Channel Type

Type N, Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOIC

Series

Si4599DY

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.045Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Forward Voltage Vf

1.2V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

JEDEC JS709A, RoHS

Width

4 mm

Height

1.55mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


관련된 링크들