N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN IXYS IXFQ28N60P3
- RS 제품 번호:
- 802-4451P
- 제조사 부품 번호:
- IXFQ28N60P3
- 제조업체:
- IXYS
일시 품절-다음 입고 날짜는 03/01/2025 (일/월/년) 이며, 그 후 5-10영업일내 홍콩에서 발송. 정확한 입고 수량에 대한 문의는 krenquiry@rs-components.com 로 연락주세요.
추가완료!
단가 개당(튜브에 담겨 공급됨)
₩9,286.862
| 수량 | 한팩당 |
| 8 - 14 | ₩9,286.862 |
| 16 + | ₩9,141.97 |
- RS 제품 번호:
- 802-4451P
- 제조사 부품 번호:
- IXFQ28N60P3
- 제조업체:
- IXYS
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
사양
속성 | 값 |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Package Type | TO-3P |
| Series | HiperFET, Polar3 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 260 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Power Dissipation | 695 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Width | 4.9mm |
| Transistor Material | Si |
| Length | 15.8mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Height | 20.3mm |