- RS 제품 번호:
- 802-4451
- 제조사 부품 번호:
- IXFQ28N60P3
- 제조업체:
- IXYS
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₩9,524.898
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
2 - 6 | ₩9,524.898 | ₩19,048.071 |
8 - 14 | ₩9,286.862 | ₩18,571.998 |
16 + | ₩9,141.97 | ₩18,283.94 |
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- RS 제품 번호:
- 802-4451
- 제조사 부품 번호:
- IXFQ28N60P3
- 제조업체:
- IXYS
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
사양
속성 | 값 |
---|---|
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Package Type | TO-3P |
Series | HiperFET, Polar3 |
Mounting Type | Through Hole |
Pin Count | 3 |
Maximum Drain Source Resistance | 260 mΩ |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Power Dissipation | 695 W |
Transistor Configuration | Single |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Typical Gate Charge @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
Length | 15.8mm |
Width | 4.9mm |
Number of Elements per Chip | 1 |
Transistor Material | Si |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Height | 20.3mm |