Vishay SIA Type N-Channel MOSFET, 31 A, 40 V Enhancement, 7-Pin SC-70 SIA4446DJ-T1-GE3
- RS 제품 번호:
- 279-9901
- 제조사 부품 번호:
- SIA4446DJ-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
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- RS 제품 번호:
- 279-9901
- 제조사 부품 번호:
- SIA4446DJ-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
사양
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 31A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SC-70 | |
| Series | SIA | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.011Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±16 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19.2W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 2.05mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 31A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SC-70 | ||
Series SIA | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.011Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±16 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19.2W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 2.05mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Very low RDS x Qg figure of merit
100 percent Rg and UIS tested
관련된 링크들
- Vishay SIA Type N-Channel MOSFET, 31 A, 40 V Enhancement, 7-Pin SC-70 SIA4446DJ-T1-GE3
- Vishay SiA461DJ Type P-Channel MOSFET, 12 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA461DJ-T1-GE3
- Vishay SiA471DJ Type P-Channel MOSFET, 30.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SiA471DJ-T1-GE3
- Vishay SiA461DJ Type P-Channel MOSFET, 12 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-70
- Vishay SiA4263DJ Type P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V PowerPAK SC-70 SIA4263DJ-T1-GE3
- Vishay SiA471DJ Type P-Channel MOSFET, 30.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SC-70
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 12 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA447DJ-T1-GE3
- Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA416DJ-T1-GE3
