Infineon BSZ12DN20NS3 G Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8

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RS 제품 번호:
273-5250
제조사 부품 번호:
BSZ12DN20NS3GATMA1
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

PG-TSDSON-8

Series

BSZ12DN20NS3 G

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

40mm

Height

1.5mm

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, JEDEC1

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a N channel power MOSFET. This MOSFET has an excellent gate charge. It is qualified according to JEDEC for target applications and 150 degree Celsius operating temperature. It is a optimized for dc to dc conversion.

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Very low on resistance

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