Infineon IPW Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247
- RS 제품 번호:
- 273-3028
- 제조사 부품 번호:
- IPW65R115CFD7AXKSA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 273-3028
- 제조사 부품 번호:
- IPW65R115CFD7AXKSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | IPW | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 115mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 114W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AECQ101, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series IPW | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 115mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 114W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AECQ101, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon automotive SJ power MOSFET is in TO-247 package is part of the automotive qualified 650V cool MOS SJ power MOSFET CFD7A product family.
Enabling of higher power density designs
Scalable as designed for use in PFC and DC-DC stage
Granular portfolio available
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