Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 2 units)*

₩5,978.40

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 1,000 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
2 - 48₩2,989.20₩5,978.40
50 - 98₩2,481.60₩4,963.20
100 - 248₩1,964.60₩3,929.20
250 - 498₩1,833.00₩3,666.00
500 +₩1,663.80₩3,327.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
273-3000
제조사 부품 번호:
IPB65R660CFDAATMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.66Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 650V cool MOS CFDA super junction MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage cool MOS power MOSFETs. In addition to the well known attributes of high quality and reliability required by the auto

Reduced EMI appearance and easy to design in

Better light load efficiency

Lower switching losses

관련된 링크들