Vishay SiRA Type N-Channel MOSFET, 128 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA54ADP-T1-RE3

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RS 제품 번호:
268-8336
제조사 부품 번호:
SiRA54ADP-T1-RE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

128A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SiRA

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0022Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is single configuration device and It is used an application as synchronous rectification and motor drive control.

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

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