Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 4.3 A, 500 V N, 3-Pin TO-252
- RS 제품 번호:
- 258-3846
- 제조사 부품 번호:
- IPD50R950CEAUMA1
- 제조업체:
- Infineon
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수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ₩315.84 | ₩787,250.00 |
| 5000 - 5000 | ₩308.32 | ₩771,270.00 |
| 7500 + | ₩302.68 | ₩755,760.00 |
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- RS 제품 번호:
- 258-3846
- 제조사 부품 번호:
- IPD50R950CEAUMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 950mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.83V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 0.83V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 500V CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in consumer and lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching super junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.
High body diode ruggedness
Reduced reverse recovery charge
Easy control of switching behaviour
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