Nexperia Type P-Channel MOSFET, 10.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXP013-30QLJ
- RS 제품 번호:
- 243-4881
- 제조사 부품 번호:
- PXP013-30QLJ
- 제조업체:
- Nexperia
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 pack of 25 units)*
₩11,092.00
일시적 품절
- 2026년 7월 01일 부터 3,000 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | ₩443.68 | ₩11,110.80 |
| 50 - 75 | ₩434.28 | ₩10,847.60 |
| 100 - 225 | ₩423.00 | ₩10,584.40 |
| 250 - 975 | ₩413.60 | ₩10,321.20 |
| 1000 + | ₩404.20 | ₩10,095.60 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 243-4881
- 제조사 부품 번호:
- PXP013-30QLJ
- 제조업체:
- Nexperia
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nexperia | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | MLPAK33 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Nexperia | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type MLPAK33 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Nexperia P-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) surface-mounted device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Low threshold voltage
Trench MOSFET technology
High-side load switch
Battery management
DC-to-DC conversion
Switching circuits
관련된 링크들
- Nexperia Type P-Channel MOSFET, 10.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33
- Nexperia Type P-Channel MOSFET, 22.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXP6R1-30QLJ
- Nexperia Type P-Channel MOSFET, 17.7 A, 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXP9R1-30QLJ
- Nexperia Type P-Channel MOSFET, 17.7 A, 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33
- Nexperia Type P-Channel MOSFET, 22.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33
- Nexperia Type N-Channel MOSFET, 10.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXN010-30QLJ
- Nexperia Type N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXN018-30QLJ
- Nexperia Type N-Channel MOSFET, 7.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXN017-30QLJ
