Vishay SIB Type N-Channel MOSFET, 6 A, 6 V PowerPAK SC-75 SIB4316EDK-T1-GE3
- RS 제품 번호:
- 239-5373
- 제조사 부품 번호:
- SIB4316EDK-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 pack of 25 units)*
₩12,032.00
재고있음
- 추가로 2026년 1월 05일 부터 6,000 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | ₩481.28 | ₩12,050.80 |
| 50 - 75 | ₩468.12 | ₩11,693.60 |
| 100 - 225 | ₩453.08 | ₩11,336.40 |
| 250 - 975 | ₩439.92 | ₩10,998.00 |
| 1000 + | ₩426.76 | ₩10,678.40 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 239-5373
- 제조사 부품 번호:
- SIB4316EDK-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 6V | |
| Package Type | PowerPAK SC-75 | |
| Series | SIB | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.057Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±12 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 6V | ||
Package Type PowerPAK SC-75 | ||
Series SIB | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.057Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay N channel MOSFET has drain current of 6 A. It is used for load switch, DC/DC converter, power management
Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
Small footprint area
Low on-resistance
Typical ESD protection: 1500 V (HBM)
100 % Rg tested
관련된 링크들
- Vishay SIB Type N-Channel MOSFET, 6 A, 6 V PowerPAK SC-75 SIB4316EDK-T1-GE3
- Vishay SIB Type P-Channel MOSFET, 4.5 A, 30 V P, 6-Pin PowerPAK SC-75 SIB4317EDK-T1-GE3
- Vishay SiB406EDK Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-75 SIB406EDK-T1-GE3
- Vishay SiB406EDK Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-75
- Vishay Type N-Channel MOSFET, 1.5 A, 190 V, 6-Pin PowerPAK SIB452DK-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET, 1.5 A, 190 V, 6-Pin PowerPAK
- Vishay SIB4122DK Type N-Channel Single MOSFETs, 5.9 A, 100 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK SIB4122DK-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET, -3.73 A, 20 V Depletion, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA410CEJW-T1_GE3
