제조사부품번호

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM90100E-GE3

RS 제품 번호:: 228-2987
제조사 부품 번호:: SUM90100E-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM90100E-GE3

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RS 제품 번호:: 228-2987
제조사 부품 번호:: SUM90100E-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	150A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-263
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	72.8nC
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 150A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-263
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 72.8nC
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SUM90100E-GE3

The Vishay N-Channel 200-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM90100E-GE3

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