Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 51.4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR876BDP-T1-RE3

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RS 제품 번호:
228-2912
제조사 부품 번호:
SiR876BDP-T1-RE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

51.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

71.4W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 100 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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