Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 4000 units)*

₩4,015,680.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 3월 30일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
4000 - 16000₩1,003.92₩4,012,672.00
20000 +₩983.24₩3,932,960.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
220-7482
제조사 부품 번호:
IRFH5300TRPBF
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

HEXFET

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

3.6W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.75 mm

Length

6mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

0.9mm

Automotive Standard

No

The Infineon IRFH5300 is strong power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Logic level : Optimized for 5 V gate drive voltage

관련된 링크들